第11章 集成电路篇（1/2）

集成电路（Ied circuit，简称Ic）的发展历史可以追溯到20世纪中叶。以下是其发展的主要历程和趋势：

早期发展阶段1.1947年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿发明了晶体管，这是微电子技术发展中的第一个里程碑。

1950年结型晶体管诞生。

1951年场效应晶体管发明。

1956年c.S. Fuller发明了扩散工艺。

1958年仙童公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器的杰克·基尔比分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史。

技术进步1960年h.h. Loor和E. castelni发明了光刻工艺。

1962年美国RcA公司研制出oS场效应晶体管。

1963年F.. wanss和c.t. Sah首次提出oS技术，今天95%以上的集成电路芯片都是基于oS工艺。

1964年英特尔的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加一倍。

1966年美国RcA公司研制出oS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）。

1967年应用材料公司（Applied aterials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司。

大规模集成电路时代1971年英特尔推出1kb动态随机存储器（dRA），标志着大规模集成电路出现。

1971年全球第一个微处理器4004由英特尔公司推出，采用的是oS工艺，这是一个里程碑式的发明。

1974年RcA公司推出第一个oS微处理器1802。

1976年16kb dRA和4kb SRA问世。

1978年64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临。

个人电脑时代1.1979年英特尔推出5hz 8088微处理器，之后，Ib基于8088推出全球第一台pc。

1981年256kb dRA和64kb oS SRA问世。

1984年日本宣布推出1b dRA和256kb SRA。

1985年微处理器问世，20hz。

1988年16 dRA问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段。

现代发展1989年1b dRA进入市场。

1989年486微处理器推出，25hz，1μ工艺，后来50hz芯片采用0.8μ工艺。

1992年64位随机存储器问世。

1993年66hz奔腾处理器推出，采用0.6μ工艺。

1995年pentiu pro，133hz，采用0.6-0.35μ工艺。

1997年300hz奔腾2问世，采用0.25μ工艺。

1999年奔腾3问世，450hz，采用0.25μ工艺，后采用0.18μ工艺。

2000年1Gb RA投放市场。

2000年奔腾4问世，1.5Ghz，采用0.18μ工艺。

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