第一八零章 FinFET工艺（1/2）

<tent><bfet工艺阵营当中。

技术难度比起普通的os有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。

对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积pdv技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。

相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，fi技术犹如小学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。

加上自对准双重成像技术sadp，一旦得到攻克，王岸然有信心在不调整硬件的基础上，实现800纳米制造工艺的突破，并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。

研究课题的确认，需要理论方面的支持，基于fi工艺的bsi数学模型有现实的指导意义。

9102年，如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师，对bsi不了解，那他肯定是混日子的。

bsi逻辑电路设计模型在基于fi工艺中的作用不可替代，王岸然自然不陌生，甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。

不过就这样堂而皇之的拿出来，多有不方便之处。

为此王岸然专门成立了fi专用研究实验室，召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。

本章未完，点击下一页继续阅读。